Описание задачи

Вращающийся дисковый CVD (реактор химического осаждения из паровой фазы) реактор для арсенида галлия (GaAs) показан на Рис.  14.1

Рис. 14.1: Схема реактора

 Реагирующие газы GaCH $_3$ и AsH $_3$ постапают в реактор при температуре  293 K. Эти газы протекают над нагретым, вращающимся диском, покрытым тонким слоем галлия и арсенида.

Протекающие реакции описываются следующими уравнениями:

$$AsH_3 + Ga\_s \rightarrow Ga + As\_s + 1.5H_2$$ (14.1)

$$GaCH_3 + As\_s \rightarrow As + Ga\_s + 3CH_3$$ (14.2)

Ga и As откладываются на поверхности. Исходная смесь содержит по массе 0.15 GaCH $_3$ и 0.4 AsH $_3$. Скорость смеси на входе 0.02189 м/с. Частота вращения диска составляет 80 рад/с, верхняя поверхность (top wall (wall-1)) нагрета до 473 К, боковые поверхности (sidewalls (wall-2)) имеют температуру 343 К. Диск (susceptor (wall-4)) нагрет до температуры 1023 К, нижняя стенка (bottom wall (wall-6)) - 303 K

В этой главе

В этой главе моделируется и анализируется одновременное отложение Ga и As. Свойства смеси и коэффициент диффузии определяются по кинетической теории.

Назад: Предварительные требования
Вверх: Моделирование поверхностной химии
Вперёд: Подготовка

Translated by Bezobrazov Pavel (bpv7@rambler.ru)